• *
    *
    *
    *
    *
    *

    Fields marked with an asterisk (*) are required.

Leo Lorenz:Next Gen. Power Semiconductor Devices -Challenges and Solutions in Application-

报告时间:2019年9月16日~2019年9月19日,每天14:00~17:00

报告地点:东教学楼201

报告人:Leo Lorenz

工作单位:德国科学院(German Academy of Science)

报告人简介:

Leo Lorenz,欧洲电力电子中心主席,德国科学院院士,英飞凌科技公司高级顾问。1976年毕业于德国柏林工业大学,1984年在德国慕尼黑联邦国防军大学获得博士学位,2007年成为IEEE-Fellow。Lorenz教授在英飞凌公司上海总部牵头建立了服务于各个产业的科技人才中心,并与国内多所知名大学展开合作。在国际学术交流及会议上做过主题演讲超过90次,已发表了超过400篇的技术文章,并且拥有该领域的多项专利。Leo Lorenz博士获得了多项IEEE高水平奖项,主要包括:2012年IEEE- William E. Newell Power Electronics奖(该奖项为IEEE电力电子领域最高奖项)、2011年IEEE- Gerald Kliman Innovator奖、2010年IEEE-ISPSD杰出贡献奖等。他长期从事功率开关器件、智能功率集成模块等方向的研究,在电力电子领域,作出了杰出的贡献。

 

报告简介:

Outline

  • Introduction ( Research Program in Europe,etc)
  • Power Electronics Development Overview (WBG Roadmap, etc)
  • Overview Development (MOSFET; Super Junction Device,IGBT, SiC,GaN)
  • Challenges in Application of Fast Switching Devices (impact of parasitics like di/dt; dv/dt on chip level, on package level in system applications,thermal conciderations,etc)
  • Development Trend of Power Devices